عنوان انگلیسی مقاله: Characterization for Novel Non-traditional CMOS Inverter Composed of a Junctionless NMOSFET and a Gated N+-N--P Transistor
عنوان فارسی مقاله: تعیین مشخصه های اینورتر تراشه هاى نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلى غیر-معمولی جدید، ساخته شده از یک بدون اتصال و یک ترانزیستور کنترل شده.
دسته: برق و الکترونیک
فرمت فایل ترجمه شده: WORD (قابل ویرایش)
تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 8
ترجمه ی سلیس و روان مقاله آماده ی خرید می باشد.
_______________________________________
چکیده ترجمه:
1.مقدمه:
همزمان با ادامه توسعه ی تکنولوژی نیمه هادی ها، وسایل منطقی نیمه هادی اکسید-فلزی مکمل (CMOS)، در مدارات دیجیتال و نیز ساخت آی-سی ها در مقیاس های بسیاربزرگ (VLSI)، استفاده می شود؛ و این بدلیل مصرف توان استاتیک کم و کاهش نویز خوب آن می باشد. بدبختانه، پردازش پیچیده، هزینه های ساخت زیاد، و پویایی تطبیق نیافته، مسایل جدی وسایل منطقی CMOS سیلیکونی می باشند. همچنین، زمانی که ابعاد وسایل کوچک می شوند، به نظر می رسد که پهنای بیشتر PMOSFETها به سختی بتوانند به چگالی زیاد ساخت مدار مجتمع، دست یابند. تعدادی چند از مطالعات بر روی CMOS گزارش شدند که می توانند مشکلات گفته شده در بالا را _مثلا ساخت وسیله بر روی لایه سلیکون-روی-عایق (SOI) [1]، و روی سطح ژرمانیوم روی عایق (GeOI)[2]، و یا روی مواد III-V [3] و [4]، یا استفاده از تکنولوژی مهندسی فشار و ساخت آی-سی سه بعدی [5] _ را آسان کنند. با این حال، مسایل مربوط به جبران سازی پهنای PMOSFET و فرآیندهای پیچیده ی آن هنوز باقی است.
در دهه 1980، Yasuhisa Omura ترانزیستور گیت-جدا نوع-دوقطبی غیر مستقیم جانبی (LUBISTOR) را [6] و [7] که همانند یک دیود P-I-N کنترل شده کار می کرد، معرفی کرد. همچنین، ترانزیستورهای اثر میدان تونلی P-I-N(TFET) بخاطر مصرف توان پایینشان، تا بامروز مورد استقبال قرار گرفته اند. این به خاطر نوسان زیرآستانه ی سراشیبی (S.S.) و نسبت جریان ION/loFF بالای [8] و [9] مزایای TFETها برای مقیاس بندی ولتاژ منبع توان، می باشد. اخیرا، JL NMOSFTها [10] هم بسیار پر طرفدار بوده اند. نداشتن اتصال، ساخت آنها را به دلیل نبود اتصالات سورس/درین S/D آسانتر کرده است. به علاوه، زمانی که ابعاد وسیله کوچکتر می شوند، اثرات کانال-کوتاه (SCE) و کاهش مانع القای-درین (DIBL)، می تواند به اندازه ی کافی در JL NMOSFETها کاهش داده شود.

جهت دانلود محصول اینجا کلیک نمایید




نوع مطلب :
برچسب ها : تعیین مشخصه های اینورتر تراشه هاى نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلى غیر-معمولی جدید، مشخصه های اینورتر تراشه ها، نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلى، مهندسی برق و الکترونیک،
لینک های مرتبط :


عنوان انگلیسی مقاله: Dopant-Independent and Voltage-Selectable Silicon- Nanowire-CMOS Technology for Reconfigurable Logic Applications
عنوان فارسی مقاله: تکنولوژی نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلى-نانو وایر-سیلیکون با ولتاژ قابل تنظیم و مستقل به عامل ناخالصی برای کاربردهای منطقی قابل تنظیم مجدد.
دسته: برق و الکترونیک
فرمت فایل ترجمه شده: WORD (قابل ویرایش)
تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 11
ترجمه ی سلیس و روان مقاله آماده ی خرید می باشد.
_______________________________________
چکیده ترجمه:
در این مقاله، ما مشخصات ساخت یک تکنولوژی CMOS نانووایر با قابلیت تنظیم ولتاژ، به منظور بالا بردن انعطاف در طراحی مدار و کاربردهای منطقی قابل تنظیم مجدد را گزارش می دهیم. ساختارهای NW سیلیکونی با اتصالات Schotty_S/D روی لایه سیلیکون-بر-عایق (SOI)، به منظور ساخت ترانزیستورهای CMOS-مانند تک قطب نابسته به عامل ناخالصی استفاده شده اند. انتخاب نوع وسیله (PMOS یا CMOS) با بکاربری یک بایاس بک-گیت انجام شده است. قابلیت برنامه نویسی چند بعدی این روش در ساخت اینورتر VS-NW-CMOS نشان داده شده است.
1.مقدمه:
نانووایرهای سیلیکون (Si_NW) شدیدن توسط گروه های تحقیقاتی مورد بررسی قرار گرفته و به عنوان جایگزین امیدوار کننده ای برای تکنولوژی های ترانزیستور بر مبنایMOSFET استاندارد، در نظر گرفته شدند؛ نظر باینکه کوچک کردن مقیاس های هندسی کلاسیک وسایل ها MOSFET به بن بست رسیده اند [1]. اگرچه، از آنجایی که ترانزیستورهای نوع n ونوع p سنگ بنای اصلی منطق MOS مکمل امروزی _یعنی ساده ترین وسیله ی آن، اینورتر [3] می باشد؛ آنطور که پیداست ویژگی ambipolar [2] نانو وایرها یک سد راه می باشند؛ ساخت از پایین به بالای NW مورد بحث ما، روش رشد گاز-مایع-جامد، اغلب با تکنولوژی استاندارد CMOS ، بدلیل مواد کاتالیزور استفاده شده، و نیز نیاز دماهای رشد بالا در طی فرآیند ساخت_ سازگار نمی باشد. مشکلات حل نشده ی دیگری نیز در طی افزودن ناخالصی ظاهر می شوند (برای مثال تجزیه ی عامل ناخالصی) [4 و 5]، بنابراین استفاده از نانووایرهای توسعه یافته در مجموعه های مدار مجتمع با اندازه های بزرگ، خیلی امکان پذیر نمی باشد. همان طور که خواهید دید، بیشتر این دغدغه ها می تواند با ساخت بالا-به-پایین وسایل Si-NW تک قطب، با کنتاکت های Schottky برای درین و سورس، برطرف شود. به علاوه، روش ما بر مبنای کنترل با نوع-ترانزیستور( یعنی PMOS یا NMOS) وسیله، توسط ولتاژ back-gate می باشد؛ که منجر به این می شود که راه برای مشخصه های ترانزیستوری قابل کلید زنی، تغییر یافتنی باشد.

جهت دانلود محصول اینجا کلیک نمایید




نوع مطلب :
برچسب ها : نانو وایر، نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلى، مهندسی برق و الکترونیک، تکنولوژی CMOS،
لینک های مرتبط :




فروشگاه پروژه و تحقیق دانشجویی
درباره وبلاگ


مدیر وبلاگ : اولدوز تک
مطالب اخیر
پیوندها
دانلود تحقیق و مقاله دانشجویی دانلود تحقیق و پروژه دانشجویی ساعتهای مچی شیک فروشگاه فایل مقاله و گزارش کارآموزی فروشگاه پروژه و تحقیق دانشجویی دانلود پروژه و مقاله دانشجویی دانلود مقاله دانلود پروژه های دانشجویی آماده
دانلود انواع فایلهای تحقیقی و پژوهشی
دانلود مقالات دانشجویی
بانک مقالات و تحقیق
بانک مقالات و پروژه های دانشجویی
فروشگاه تحقیق و مقالات قابل ویرایش
فروشگاه دانلود انواع مقاله و تحقیق
دانلود مقالات دانشگاهی آماده
فروشگاه فایلهای دانشجویی - مقاله و تحقیق
دانلود پایان نامه و پروژه دانشجویی
تحقیق و مقاله آماده
بزرگترین مرجع دانلود مقاله
بهترین و قویترین مقالات دانشجویی
مقالات و تحقیقهای آماده
مقاله و تحقیق آماده دانشجویی
دانلود تحقیق و مقاله آماده
فروشگاه دانلود فایل مقالات
بزرگترین فروشگاه فایل
دانلود پایان نامه
مقالات دانشگاهی
فایل فروش
دانلود مقالات ترجمه شده
فروشگاه محصولات دانشگاهی
فروشگاه محصولات دانلودی
دانلود پروژه های دانشجویی
دانلود مقالات ترجمه شده
ترجمه مقالات ISI
مقاله و تحقیق آماده برای دانشجویان
فایل دانش آموزی
دانلود پاورپوینت آماده
کاملترین فروشگاه مقاله و تحقیق
دانلود فایلهای تحقیقی
فروشگاه پروژه و پایان نامه
پروژه
پروژه های قابل ویرایش دانشجویی
دانلود پروژه و پایان نامه دانشجویی
فروشگاه فایل
دانلود پروژه دانشجویی
دانلود مقالات آماده برای دانشجویان
دانلود انواع فایل تحقیقی و پژوهشی
فایل برتر
بهترین مقاله ها و تحقیق های دانشجویی
دانشجو و دانشگاه
دانلود مقاله
فروشگاه فایل نوترینو
فایلهای دانشگاهی
فروشگاه انواع مقاله و تحقیق دانشجویی قابل ویرایش
مقالات دانشگاهی قابل ویرایش
دانشجو یار
بانک مقالات و تحقیق های دانشجویی
دانلود مستقیم مقاله و تحقیق
وسترو فایل
بانک مقالات علمی
فروشگاه فایل دانشمند
عطر و ادکلن
فروشگاه ساعت مچی 5040
فروشگاه 5040
خرید اینترنتی با قیمت های عمده و ارزان
فروشگاه اینترنتی5040
فروشگاه اینترنتی5040
فروشگاه محصولات زناشویی
همه پیوندها
نویسندگان
آمار وبلاگ
کل بازدید :
بازدید امروز :
بازدید دیروز :
بازدید این ماه :
بازدید ماه قبل :
تعداد نویسندگان :
تعداد کل پست ها :
آخرین بازدید :
آخرین بروز رسانی :

                    
 
 
 
شبکه اجتماعی فارسی کلوب | Buy Website Traffic | Buy Targeted Website Traffic